162A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF1404LPBF MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Infineon Technologies	7,647 现货	1 : ¥23.07000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IPB026N10NF2SATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	1,224 现货	1 : ¥30.38000 剪切带（CT） 800 : ¥18.35364 卷带（TR）	StrongIRFET™ 2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	162A（Tc）	6V，10V	2.65 毫欧 @ 100A，10V	3.8V @ 169µA	154 nC @ 10 V	±20V	7300 pF @ 50 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1404STRLPBF MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	1,766 现货	1 : ¥20.77000 剪切带（CT） 800 : ¥8.71676 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
94-2110 MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	150 : ¥27.13447 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1404L MOSFET N-CH 40V 162A TO262 Infineon Technologies	0 现货	150 : ¥27.13447 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF1404STRR MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥28.03330 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1404SPBF MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF1404STRRPBF MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	162A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 95A，10V	4V @ 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	7360 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB