16.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™ P6QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
60 V600 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
63 毫欧 @ 8.4A,10V230 毫欧 @ 6.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA4.5V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
590 pF @ 25 V1450 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),38W(Tc)33W(Tc)126W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
IPAKPG-TO220-3PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO263-3-1TO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ISL9N302AS3
FQU20N06TU
MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Fairchild Semiconductor
20,736
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
16.8A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TO-220-FP
IPA60R230P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
Infineon Technologies
62
现货
1 : ¥23.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16.8A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 6.4A,10V
4.5V @ 530µA
31 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-252AA
FQD20N06TF
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥2.94281
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
16.8A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD20N06TM
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
onsemi
1
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
16.8A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
I-PAK
FQU20N06TU
MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
16.8A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3
IPP60R230P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16.8A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 6.4A,10V
4.5V @ 530µA
31 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
126W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16.8A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 6.4A,10V
4.5V @ 530µA
31 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
126W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO263-3-1
IPB60R230P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16.8A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 6.4A,10V
4.5V @ 530µA
31 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
126W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-1
TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
显示
/ 8

16.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。