16.5A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FDMC8554 MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP onsemi	2,800 现货 21,000 工厂	1 : ¥17.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.05910 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	16.5A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 16.5A，10V	3V @ 250µA	62 nC @ 10 V	±20V	3380 pF @ 10 V	-	2W（Ta），41W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-MLP（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
FQB17N08TM MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Fairchild Semiconductor	2,400 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	10V	115 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	450 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），65W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQP17N08 MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3 Fairchild Semiconductor	2,331 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	10V	115 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	450 pF @ 25 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQI17N08LTU MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK Fairchild Semiconductor	2,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 8.25A，10V	2V @ 250µA	11.5 nC @ 5 V	±20V	520 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FQP17N08L MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3 Fairchild Semiconductor	2,957 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 8.25A，10V	2V @ 250µA	11.5 nC @ 5 V	±20V	520 pF @ 25 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQI17N08TU MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK Fairchild Semiconductor	1,354 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	10V	115 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	450 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），65W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FDA16N50LDTU MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	16.5A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±30V	1945 pF @ 25 V	-	205W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PN（L 型）	TO-3P-3，SC-65-3，成型引线
FDA16N50 MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN Fairchild Semiconductor	211 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	16.5A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±30V	1945 pF @ 25 V	-	205W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
FDA16N50LDTU POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Fairchild Semiconductor	27,080 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	16.5A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±30V	1945 pF @ 25 V	-	205W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PN（L 型）	TO-3P-3，SC-65-3，成型引线
FQI17P10TU P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	1,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET™	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	16.5A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FDA16N50-F109 MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥34.07000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	16.5A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±30V	1945 pF @ 25 V	-	205W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
SI4666DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	16.5A（Tc）	2.5V，10V	10 毫欧 @ 10A，10V	1.5V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±12V	1145 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta），5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FQP17P10 MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3 onsemi	0 现货查看交期	1,000 : ¥5.80663 管件	QFET®	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	16.5A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
SI4884BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	16.5A（Tc）	4.5V，10V	9 毫欧 @ 10A，10V	3V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1525 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta），4.45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FQP17N08L MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 8.25A，10V	2V @ 250µA	11.5 nC @ 5 V	±20V	520 pF @ 25 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQP17N08 MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	10V	115 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	450 pF @ 25 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQB17N08TM MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	16.5A（Tc）	10V	115 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	450 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），65W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQB17P10TM MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	16.5A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 8.25A，10V	4V @ 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDA16N50 MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN onsemi	0 现货	停产	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	16.5A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±30V	1945 pF @ 25 V	-	205W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
SI4884BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	16.5A（Tc）	4.5V，10V	9 毫欧 @ 10A，10V	3V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1525 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta），4.45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）