15.3A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 22A,10V7 毫欧 @ 15.3A,10V7.5 毫欧 @ 15.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
67 nC @ 10 V183 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2819 pF @ 20 V7880 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)3W(Ta)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-SO8-SO FLMP
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS005P03P8ZST1G
PT8P PORTFOLIO EXPANSION
onsemi
1,278
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.41029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15.3A(Ta)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 22A,10V
3V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±25V
7880 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS4070N7
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Fairchild Semiconductor
69,929
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
15.3A(Ta)
10V
7 毫欧 @ 15.3A,10V
5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2819 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Fairchild Semiconductor
9,403
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
15.3A(Ta)
10V
7.5 毫欧 @ 15.3A,10V
5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2819 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
15.3A(Ta)
10V
7.5 毫欧 @ 15.3A,10V
5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2819 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS4070N7
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
15.3A(Ta)
10V
7 毫欧 @ 15.3A,10V
5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2819 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
显示
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15.3A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。