14A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.9 毫欧 @ 30A,10V8.8 毫欧 @ 20A,10V9.2 毫欧 @ 25A,10V10.7 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 35µA2.2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V19 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
680 pF @ 30 V880 pF @ 25 V1600 pF @ 15 V2400 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),30W(Tc)3.1W(Ta),48.1W(Tc)3.6W(Ta),46W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)LFPAK4(5x6)PG-TDSON-8-1TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线SOT-1023,4-LFPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Vishay Siliconix
3,324
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
14A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),48.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NT1G
MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.20847
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),50A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 35µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 30 V
-
3.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C673NT1G
MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
onsemi
589
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.84448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),50A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 35µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 30 V
-
3.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-252
SUD50N04-8M8P-4BE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.20253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
14A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),48.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.18740
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),50A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 35µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 30 V
-
3.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PG-TDSON-8-1
BSC079N03LSCGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
7.9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT 1023
NVMYS9D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
onsemi
0
现货
3,000
工厂
查看交期
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.43175
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
20V
880 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4(5x6)
SOT-1023,4-LFPAK
显示
/ 7

14A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。