145A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diotec SemiconductorLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyonsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIHiPerFET™, Ultra X2POWER MOS 7®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V150 V650 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 90A,10V2.5 毫欧 @ 16A,10V4 毫欧 @ 20A,10V4.8 毫欧 @ 20A,10V5.2 毫欧 @ 50A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 20A,10V17 毫欧 @ 75A,10V18 毫欧 @ 75A,18V78 毫欧 @ 72.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.3V @ 25mA4.5V @ 250µA5V @ 20mA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.4 nC @ 10 V34 nC @ 30 V40 nC @ 10 V58 nC @ 10 V108 nC @ 10 V115 nC @ 10 V116 nC @ 10 V283 nC @ 18 V355 nC @ 10 V1068 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V+22V,-8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2000 pF @ 35 V2700 pF @ 25 V4200 pF @ 50 V4689 pF @ 325 V5320 pF @ 25 V6195 pF @ 25 V7000 pF @ 20 V7950 pF @ 75 V21000 pF @ 25 V28500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.9W(Ta),198W(Tc)4.8W(Ta),125W(Tc)75W(Tc)150W(Tj)153W(Tc)357W(Tc)500W(Tc)1040W(Tc)3250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-QFN(5x6)D2PAKD2PAK-7PowerFlat™(5x6)SOT-227BSP6TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNSOT-227-4,miniBLOCSP6TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD8444
MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
onsemi
4,800
现货
1 : ¥17.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.11897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
145A(Tc)
10V
5.2 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 25 V
-
153W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL140N6F7
MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
STMicroelectronics
7,298
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.20858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
145A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
4.8W(Ta),125W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
D2PAK-7
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
1,109
现货
7,200
工厂
1 : ¥223.31000
剪切带(CT)
800 : ¥148.07511
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
145A(Tc)
15V,18V
18 毫欧 @ 75A,18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V,-8V
4689 pF @ 325 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
onsemi
595
现货
1 : ¥305.90000
剪切带(CT)
800 : ¥202.85524
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
145A(Tc)
15V,18V
18 毫欧 @ 75A,18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V,-8V
4689 pF @ 325 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
IXYK1x0xNxxxx
IXFN150N65X2
MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Littelfuse Inc.
750
现货
1 : ¥419.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
145A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 75A,10V
5V @ 8mA
355 nC @ 10 V
±30V
21000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
D2PAK
MCB145N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Micro Commercial Co
294
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
800 : ¥5.27213
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
145A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 30 V
±20V
2000 pF @ 35 V
-
150W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
查看交期
5,000 : ¥10.48412
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
145A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 20 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-QFN(5x6)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NWFT3G
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥22.21778
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±16V
4200 pF @ 50 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NLT3G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥22.79761
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±16V
5320 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NWFT1G
MOSFET N-CH 100V 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥24.59422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±16V
4200 pF @ 50 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥24.84413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±16V
5320 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NT1G
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥24.92251
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±16V
4200 pF @ 50 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6B03NLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥25.23601
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
145A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±16V
5320 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),198W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTM100UM65DAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,830.90500
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
145A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 72.5A,10V
5V @ 20mA
1068 nC @ 10 V
±30V
28500 pF @ 25 V
-
3250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SP6
SP6
APTM100UM65SAG
APTM100UM65SAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥2,982.79000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
145A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 72.5A,10V
5V @ 20mA
1068 nC @ 10 V
±30V
28500 pF @ 25 V
-
3250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTM100UM65SCAVG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
3 : ¥3,859.75667
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
145A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 72.5A,10V
5V @ 20mA
1068 nC @ 10 V
±30V
28500 pF @ 25 V
-
3250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SP6
模块
TO-252AA
FDD8444-F085
MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
145A(Tc)
10V
5.2 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 25 V
-
153W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D2PAK
MCB145N15Y-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Micro Commercial Co
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
145A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
7950 pF @ 75 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 18

145A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。