13A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 13A,10V8.5 毫欧 @ 20A,10V9.3 毫欧 @ 25A,10V9.8 毫欧 @ 14A,10V9.8 毫欧 @ 25A,10V10.4 毫欧 @ 10A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 40µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24 nC @ 5 V31 nC @ 10 V33 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
880 pF @ 25 V1715 pF @ 15 V1770 pF @ 30 V1800 pF @ 20 V2100 pF @ 40 V2361 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),52W(Tc)2W(Ta),30W(Tc)2.3W(Ta),50W(Tc)2.8W(Ta),42W(Tc)3.1W(Ta),46W(Tc)3.1W(Ta),77W(Tc)3.8W(Ta),52W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)8-WDFN(3.3x3.3)IPAKMG-WDSON-2-6MG-WDSON-2,CanPAK M™POWERDI3333-8TO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
3-WDSON8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNDirectFET™ 等容 MPTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
205,691
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.03235
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.58259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Texas Instruments
29,135
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.19181
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.8 毫欧 @ 14A,10V
2.3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),77W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
2,654
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.64335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.8 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5C673NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
1,360
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.67259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.8 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
IRG4RC10UTRPBF
FDD6696
MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Fairchild Semiconductor
217,895
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±16V
1715 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
ISL9N302AS3
FDU6696
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
3,600
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±16V
1715 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
8-WDFN
NTTFS5C673NLTWG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
4,985
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.70581
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
DMT10H009LFG-7
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Diodes Incorporated
0
现货
2,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥3.90639
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2361 pF @ 50 V
-
2W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT10H009LFG-13
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Diodes Incorporated
0
现货
3,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥3.90639
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2361 pF @ 50 V
-
2W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
3-WDSON
BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥5.33691
卷带(TR)
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),50A(Tc)
10V
10.4 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 40µA
31 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.8W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2,CanPAK M™
3-WDSON
0
现货
查看交期
5,000 : ¥5.65389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),50A(Tc)
10V
10.4 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 40µA
31 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.8W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2-6
DirectFET™ 等容 MP
0
现货
查看交期
4,800 : ¥5.65389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),50A(Tc)
10V
10.4 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 40µA
31 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.8W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2-6
DirectFET™ 等容 MP
0
现货
查看交期
5,000 : ¥5.65389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),50A(Tc)
10V
10.4 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 40µA
31 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.8W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-2-6
DirectFET™ 等容 MP
8-WDFN
NTTFS5CS73NLTAG
T6 60V NCH LL IN U8FL
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.63069
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-252AA
FDD6696
MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±16V
1715 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 16

13A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。