132A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IXFB132N50P3 MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 Littelfuse Inc.	287 现货	1 : ¥216.99000 管件	HiPerFET™, Polar3™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	132A（Tc）	10V	39 毫欧 @ 66A，10V	5V @ 8mA	250 nC @ 10 V	±30V	18600 pF @ 25 V	-	1890W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PLUS264™	TO-264-3，TO-264AA
MMIX1F180N25T MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD IXYS	18 现货	1 : ¥387.42000 管件	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	132A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 90A，10V	5V @ 8mA	364 nC @ 10 V	±20V	23800 pF @ 25 V	-	570W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	24-SMPD	24-PowerSMD，21 引线
XP10N3R8S MOSFET N CH 100V 132A TO-263 YAGEO XSEMI	0 现货查看交期	4,000 : ¥9.72272 卷带（TR）	XP10N3R8	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	132A（Tc）	10V	3.88 毫欧 @ 60A，10V	4V @ 250µA	136 nC @ 10 V	±20V	6560 pF @ 80 V	-	3.12W（Ta），125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IXTC240N055T MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 IXYS	0 现货	停产	TrenchMV™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	132A（Tc）	10V	4 毫欧 @ 50A，10V	4V @ 1mA	170 nC @ 10 V	±20V	7600 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	ISOPLUS220™	ISOPLUS220™