13.7A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TK14G65W,RQ MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK Toshiba Semiconductor and Storage	2,585 现货	1 : ¥25.45000 剪切带（CT） 1,000 : ¥8.60560 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TK14V65W,LQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM Toshiba Semiconductor and Storage	2,394 现货	1 : ¥35.63000 剪切带（CT） 2,500 : ¥12.84834 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	280 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	139W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	4-DFN-EP（8x8）	4-VSFN 裸露焊盘
TK14A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	53 现货	1 : ¥30.54000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK14N65W5,S1F MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	30 现货	1 : ¥30.29000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 6.9A，10V	4.5V @ 690µA	40 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
TK14E65W,S1X MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage	48 现货	1 : ¥23.32000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
TK14E65W5,S1X MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage	15 现货	1 : ¥21.67000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 6.9A，10V	4.5V @ 690µA	40 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
TK14N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	25 现货	1 : ¥34.89000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
XP4438GYT MOSFET N CH 30V 13.7A PMPAK3X3 YAGEO XSEMI	0 现货查看交期	3,000 : ¥1.24546 卷带（TR）	XP4438	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	13.7A（Ta）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 11A，10V	3V @ 250µA	16 nC @ 4.5 V	±20V	1760 pF @ 15 V	-	3.57W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PMPAK（3x3）	8-PowerTDFN
AO4420A MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	1 : ¥5.09000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.71229 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	13.7A（Ta）	4.5V，10V	10.5 毫欧 @ 13.7A，10V	2V @ 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	4050 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TK14A65W5,S5X MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	50 : ¥15.80380 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 6.9A，10V	4.5V @ 690µA	40 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK14G65W5,RQ MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥32.18000 剪切带（CT） 1,000 : ¥10.91986 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 6.9A，10V	4.5V @ 690µA	40 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TK14C65W,S1Q MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	DTMOSIV	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	250 毫欧 @ 6.9A，10V	3.5V @ 690µA	35 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	I2PAK	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TK14C65W5,S1Q MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	DTMOSIV	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13.7A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 6.9A，10V	4.5V @ 690µA	40 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	I2PAK	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA