13.6A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FQP13N06L MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	13.6A（Tc）	5V，10V	110 毫欧 @ 6.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 nC @ 5 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQP13N06L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	46,988 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	13.6A（Tc）	5V，10V	110 毫欧 @ 6.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 nC @ 5 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQPF19N10L MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F Fairchild Semiconductor	1,448 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13.6A（Tc）	5V，10V	100 毫欧 @ 6.8A，10V	2V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±20V	870 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQI13N06LTU MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK Fairchild Semiconductor	2,955 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	13.6A（Tc）	5V，10V	110 毫欧 @ 6.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 nC @ 5 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FQPF19N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 onsemi	2,860 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 6.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQPF19N10 MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F Fairchild Semiconductor	582 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 6.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQI13N06LTU MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	13.6A（Tc）	5V，10V	110 毫欧 @ 6.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 nC @ 5 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
FQB13N06LTM MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK onsemi	0 现货	停产	QFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	13.6A（Tc）	5V，10V	110 毫欧 @ 6.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.4 nC @ 5 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQPF19N10 MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13.6A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 6.8A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±25V	780 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包