13.5A 单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®
包装
卷带(TR)管件
产品状态
停产最后售卖
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V450 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V410 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA-
功率耗散(最大值)
1.2W-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOTO-220SIS
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
0
现货
50 : ¥13.75260
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
13.5A
-
410 毫欧 @ 6.8A,10V
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
8-SOIC,M8
FDS4465_SN00187
MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
1.2W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 2

13.5A 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。