13.3A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesYAGEO XSEMI
系列
HEXFET®XP3P010
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 15A,4.5V10 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54.4 nC @ 4.5 V62 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3780 pF @ 16 V6080 pF @ 15 V
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
XP3P050AM
XP3P010M
MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥15.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.88720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.3A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
54.4 nC @ 4.5 V
±20V
6080 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
IRF7809AV
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
95 : ¥14.27726
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.3A(Ta)
4.5V
9 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 5 V
±12V
3780 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.3A(Ta)
4.5V
9 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 5 V
±12V
3780 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809AVTRPBF-1
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.3A(Ta)
4.5V
9 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 5 V
±12V
3780 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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13.3A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。