12A(Ta),75A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.6 毫欧 @ 30A,10V10.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1840 pF @ 25 V1988 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
820mW(Ta),33W(Tc)135W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)TO-220-3TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-220-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS4C05NTWG
MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
onsemi
3,696
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.85258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),75A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 15 V
-
820mW(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Fairchild Semiconductor
5,110
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),75A(Tc)
6V,10V
10.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1840 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-WDFN
NTTFS4C05NTAG
MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
onsemi
219
现货
612,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.96122
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),75A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 15 V
-
820mW(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-263
FDB10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
onsemi
0
现货
800 : ¥11.90299
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),75A(Tc)
6V,10V
10.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1840 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),75A(Tc)
6V,10V
10.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1840 pF @ 25 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 5

12A(Ta),75A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。