12A(Ta)44A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.1 毫欧 @ 30A,10V10 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.7 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
880 pF @ 30 V1500 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),28W(Tc)3W(Ta),43W(Tc)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5H610NLT1G
MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.15755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta)44A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 40µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 30 V
-
3W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PG-TDSON-8-1
BSC889N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta)44A(Tc)
4.5V,10V
9.1 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
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12A(Ta)44A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。