12A（Ta），36A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.7mOhm @ 12A，10V15 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 25µA2.7V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V26 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V1330 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）3.8W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPLFPAK4（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-1023，4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 1023
NVMYS014N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
onsemi
10,196
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.06051
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），36A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 25µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
SOT 1023
NTMYS014N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
onsemi
5,900
现货
3,000
工厂
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.63900
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），36A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 25µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
HSOP8
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
Rohm Semiconductor
6
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.21991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），36A（Tc）
4.5V，10V
12.7mOhm @ 12A，10V
2.7V @ 200µA
26 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
/ 3

12A（Ta），36A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。