12A（Ta），12A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-AlphaMOSTrenchFET®
包装
卷带（TR）散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.8 毫欧 @ 12A，10V10.5 毫欧 @ 12A，10V13.5 毫欧 @ 7A，10V18 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 15 V542 pF @ 15 V570 pF @ 15 V600 pF @ 15 V800 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），20.5W（Tc）3.5W（Ta），19.2W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）4.1W（Ta），12.5W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7506
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
5,000 : ¥1.17248
卷带（TR）
-
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），20.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AONR36326C
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.17248
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），20.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA430DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
6,000 : ¥1.35822
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-DFN
AON7556
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 12A，10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA430DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA462DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 9A，10V
2.4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
/ 6

12A（Ta），12A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。