127A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolSiC™
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V20 毫欧 @ 74A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.63V @ 37mA5.2V @ 23.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 18 V329 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4580 pF @ 25 V4580 pF @ 800 V6230 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
455W（Tc）686W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-4-8TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
144
现货
1 : ¥271.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V，-5V
4580 pF @ 800 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
853
现货
1 : ¥275.11000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V，-5V
4580 pF @ 25 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
55
现货
1 : ¥237.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
20 毫欧 @ 74A，18V
4.63V @ 37mA
329 nC @ 18 V
+22V，-10V
6230 pF @ 800 V
-
686W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 3

127A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。