120A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.Panjit International Inc.
系列
-OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.55 毫欧 @ 60A,10V0.6 毫欧 @ 60A,10V1.5 毫欧 @ 60A,10V1.7 毫欧 @ 60A,10V3.2 毫欧 @ 60A,10V3.23 毫欧 @ 60A,10V4.8 毫欧 @ 25A,10V5 毫欧 @ 25A,10V5 毫欧 @ 50A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 130µA2.2V @ 44µA3V @ 130µA3.4V @ 44µA3.4V @ 94µA3.8V @ 270µA4V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47 nC @ 10 V51.5 nC @ 10 V53 nC @ 10 V95.9 nC @ 10 V96 nC @ 10 V151 nC @ 10 V177 nC @ 10 V278 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3446 pF @ 30 V3823 pF @ 30 V3910 pF @ 50 V6952 pF @ 30 V10117 pF @ 25 V11203 pF @ 25 V14400 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
94W(Tc)138W(Tc)167W(Tc)187W(Tc)405W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKI2PAKPG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-43PG-TDSON-8-53TO-220ABTO-263
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TDSON833
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Infineon Technologies
36,666
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.94885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tj)
-
3.2 毫欧 @ 60A,10V
2.2V @ 44µA
51.5 nC @ 10 V
±16V
3823 pF @ 30 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
5,000
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.77947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tj)
7V,10V
0.6 毫欧 @ 60A,10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
10117 pF @ 25 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,872
现货
1 : ¥33.74000
剪切带(CT)
800 : ¥20.35078
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TDSON833
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Infineon Technologies
13,383
现货
1 : ¥20.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.78915
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tj)
-
1.7 毫欧 @ 60A,10V
3.4V @ 94µA
95.9 nC @ 10 V
±20V
6952 pF @ 30 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-43
8-PowerTDFN
3,601
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.77947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tj)
4.5V,10V
0.55 毫欧 @ 60A,10V
2V @ 130µA
177 nC @ 10 V
±16V
11203 pF @ 25 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
7,247
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.94885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tj)
7V,10V
3.23 毫欧 @ 60A,10V
3.4V @ 44µA
47 nC @ 10 V
±20V
3446 pF @ 30 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
I2PAK SOT226
BUK9E1R9-40E,127
MOSFET N-CH 40V I2PAK
NXP USA Inc.
0
现货
5,048
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tj)
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
772
现货
1 : ¥26.85000
剪切带(CT)
800 : ¥11.19428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
6V,10V
5 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 270µA
53 nC @ 10 V
±20V
3910 pF @ 50 V
-
138W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
PSMN4R8-100PSEQ
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Nexperia USA Inc.
4,970
现货
1 : ¥40.88000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tj)
10V
5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
0
现货
查看交期
5,000 : ¥9.35496
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tj)
7V,10V
1.5 毫欧 @ 60A,10V
3.4V @ 94µA
96 nC @ 10 V
±20V
6952 pF @ 30 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-43
8-PowerTDFN
显示
/ 10

120A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。