12.8A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
漏源电压(Vdss)
20 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧 @ 12A,10V9 毫欧 @ 8.5A,4.5V10.5 毫欧 @ 12.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.6 nC @ 10 V27.9 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1083 pF @ 10 V1143 pF @ 20 V2600 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)1.32W(Ta)2.5W(Ta)
供应商器件封装
8-SOIC8-SOPU-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS8447
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
onsemi
12,500
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.93823
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.8A(Ta)
4.5V,10V
10.5 毫欧 @ 12.8A,10V
3V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMN2009UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.98631
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12.8A(Ta)
2.5V,4.5V
9 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.4V @ 250µA
27.9 nC @ 10 V
±12V
1083 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
21,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.11908
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12.8A(Ta)
2.5V,4.5V
9 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.4V @ 250µA
27.9 nC @ 10 V
±12V
1083 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
8-SOP
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
Diodes Incorporated
0
现货
15,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥1.26506
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.8A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1143 pF @ 20 V
-
1.32W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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12.8A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。