12.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedFairchild Semiconductoronsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 30A,10V9 毫欧 @ 13.7A,10V10 毫欧 @ 13.7A,10V12 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 4.5 V25.1 nC @ 10 V46 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1415 pF @ 15 V2300 pF @ 15 V4299 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
780mW(Ta),33W(Tc)1.6W(Ta)3W(Ta)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-SO8-SO FLMPTO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN3016LK3-13
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Diodes Incorporated
8,804
现货
17,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11A,10V
2.3V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C35NT1G
MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
2300 pF @ 15 V
-
780mW(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C35NT3G
MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
onsemi
5,000
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.32487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
2300 pF @ 15 V
-
780mW(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Fairchild Semiconductor
9,775
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13.7A,10V
3V @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±12V
4299 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4072N3
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 13.7A,10V
3V @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±12V
4299 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.4A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13.7A,10V
3V @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±12V
4299 pF @ 20 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
显示
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12.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。