11A（Ta），40A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，10V9.6 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 20A，10V10.5 毫欧 @ 20A，10V12 毫欧 @ 20A，10V14.4 毫欧 @ 24A，10V15 毫欧 @ 35A，10V20 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 36µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.1V @ 73µA4V @ 14µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V24 nC @ 5 V26 nC @ 10 V27 nC @ 10 V35 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 15 V1256 pF @ 25 V1300 pF @ 20 V1300 pF @ 30 V1715 pF @ 15 V2100 pF @ 15 V2100 pF @ 50 V3360 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）2.1W（Ta），35W（Tc）2.1W（Ta），36W（Tc）2.1W（Ta），52W（Tc）2.1W（Ta），69W（Tc）3.6W（Ta），46W（Tc）40W（Tc）52W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）IPAKPG-TDSON-8 FLPG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-1TO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AATO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
36,461
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.25673
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
12 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
onsemi
5,703
现货
15,000
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.95581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
52W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
ISL9N302AS3
FDU8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Fairchild Semiconductor
41,569
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
MJD32CTF-ON
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Fairchild Semiconductor
30,452
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.71810
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11A（Ta），40A（Tc）
10V
10.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 14µA
17 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-1
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11A（Ta），40A（Tc）
10V
10.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 14µA
17 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSZ0704LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 14µA
8.6 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ088N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8PQFN
IRFH5406TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），40A（Tc）
-
14.4 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 50µA
35 nC @ 10 V
-
1256 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8 FL
BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8PQFN
IRFH5406TRPBF
MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），40A（Tc）
10V
14.4 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 50µA
35 nC @ 10 V
±20V
1256 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
12 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6685-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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11A（Ta），40A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。