11A(Ta),35A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-Automotive, AEC-Q101FASTIRFET™, HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 11.5A,10V12.4 毫欧 @ 11A,10V16.4 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA3V @ 250µA3.6V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 10 V46 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
733 pF @ 50 V2147 pF @ 15 V2750 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)2W(Ta)3.6W(Ta),39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)8-PQFN(5x6)PowerDI3333-8(UX 类)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP3018SFV-7
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
17,142
现货
134,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.48105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11.5A,10V
3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP3018SFV-13
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
7,899
现货
42,000
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11.5A,10V
3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
8-HSMT
RQ3G110ATTB
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
8,426
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.69057
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12.4 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 20 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11A(Ta),35A(Tc)
10V
16.4 毫欧 @ 21A,10V
3.6V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±20V
733 pF @ 50 V
-
3.6W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMP3018SFVQ-13
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11.5A,10V
3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP3018SFVQ-7
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11.5A,10V
3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
显示
/ 6

11A(Ta),35A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。