11.2A(Ta) 单 FET,MOSFET
结果 : 8
制造商
系列
包装
产品状态
漏源电压(Vdss)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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4,371 现货 25,000 工厂 | 1 : ¥23.07000 剪切带(CT) 2,500 : ¥11.22924 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 11.2A(Ta) | 6V,10V | 9.8 毫欧 @ 11.2A,10V | 4V @ 250µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 2580 pF @ 50 V | - | 2.5W(Ta),5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |||
15,320 现货 | 1 : ¥5.09000 剪切带(CT) 3,000 : ¥2.39223 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 30 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 4.38mOhm @ 10A,10V | 2.2V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1255 pF @ 15 V | - | 860mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 6-PQFN(2x2) | 6-PowerWDFN | ||
443 现货 | 1 : ¥2.87000 剪切带(CT) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 30 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 14 毫欧 @ 11.2A,10V | 2.2V @ 250µA | 45.7 nC @ 10 V | ±12V | 2296 pF @ 15 V | 肖特基二极管(体) | 1.55W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SO | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | ||
0 现货 | 停产 | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 12 毫欧 @ 10A,10V | 2.3V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 3.7W(Ta),107W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 | 停产 | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 12 毫欧 @ 10A,10V | 2.3V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 3.7W(Ta),107W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 | 停产 | 卷带(TR) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 20 V | 11.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 9 毫欧 @ 11.2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 48 nC @ 4.5 V | ±8V | 3829 pF @ 10 V | - | 1.8W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SuperSOT™-8 | 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽) | |||
0 现货 | 停产 | - | 卷带(TR) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 12 毫欧 @ 10A,10V | 2.3V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 3.7W(Ta),107W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 | 停产 | - | 卷带(TR) | 停产 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 11.2A(Ta) | 4.5V,10V | 12 毫欧 @ 10A,10V | 2.3V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 3.7W(Ta),107W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 |
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