11.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.38mOhm @ 10A,10V9 毫欧 @ 11.2A,4.5V9.8 毫欧 @ 11.2A,10V12 毫欧 @ 10A,10V14 毫欧 @ 11.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V30 nC @ 10 V41 nC @ 10 V45.7 nC @ 10 V48 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1255 pF @ 15 V1460 pF @ 25 V2296 pF @ 15 V2580 pF @ 50 V3829 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
860mW(Ta)1.55W(Ta)1.8W(Ta)2.5W(Ta),5W(Tc)3.7W(Ta),107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-PQFN(2x2)8-SO8-SOICSuperSOT™-8
封装/外壳
6-PowerWDFN8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
onsemi
4,371
现货
25,000
工厂
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.22924
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11.2A(Ta)
6V,10V
9.8 毫欧 @ 11.2A,10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS5D0N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
onsemi
15,320
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.39223
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
4.38mOhm @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1255 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
8 SO
DMG4712SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Diodes Incorporated
443
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 11.2A,10V
2.2V @ 250µA
45.7 nC @ 10 V
±12V
2296 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
1.55W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5844NLT1G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1460 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5844NLT1G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1460 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-LSOP
FDR6580
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
11.2A(Ta)
2.5V,4.5V
9 毫欧 @ 11.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
±8V
3829 pF @ 10 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-8
8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5844NLT3G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1460 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5844NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1460 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 8

11.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。