10A（Ta），41A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiPanjit International Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 20A，10V13.4 毫欧 @ 10A，10V15 毫欧 @ 10A，10V15.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 45µA2.5V @ 250µA3.4V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V32 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
902 pF @ 40 V966 pF @ 20 V1044 pF @ 20 V1092 pF @ 20 V1270 pF @ 25 V2785 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），36.5W（Tc）2.5W（Ta），41W（Tc）3.1W（Ta），56W（Tc）3.2W（Ta），54W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN（5.2x5.75）8-PDFNU（5x6）8-WDFN（3.3x3.3）DFN3333-8TO-220F
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4437EP-AU_R2_002A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,980
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.01493
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
15.4 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±25V
1270 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
5,000
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.26630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta），41A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1092 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PDFN（5.2x5.75）
8-PowerLDFN
8-WDFN
NTTFS6H854NLTAG
MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
onsemi
4,260
现货
4,500
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.76484
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
13.4 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 45µA
17 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
4,990
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.97606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta），41A（Tc）
7V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
8-PDFNU（5x6）
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS6H854NLTAG
MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
onsemi
1,494
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.60969
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
13.4 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 45µA
17 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS6H854NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
onsemi
1,464
现货
3,000
工厂
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.60969
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
13.4 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 45µA
17 nC @ 10 V
±20V
902 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
590
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.26630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
966 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PDFN（5.2x5.75）
8-PowerLDFN
TO-220F
AOTF296L
MOSFET N-CH 100V 10A/41A TO220F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
1,000 : ¥7.45278
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Ta），41A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2785 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta），36.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
显示
/ 8

10A（Ta），41A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。