1.6A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 39
制造商
Fairchild SemiconductorGoford SemiconductorIXYSLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DepletionPolarPolar P3™PolarHV™QFET®SuperFET® IISuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V30 V60 V100 V150 V200 V400 V500 V600 V700 V800 V1000 V3000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V4V,10V4.5V,10V6V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
78 毫欧 @ 2A,4.5V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V140 毫欧 @ 1.2A,10V190毫欧 @ 1A,10V290 毫欧 @ 2A,10V295 毫欧 @ 800mA,10V300 毫欧 @ 1.5A,10V345 毫欧 @ 1.25A,10V2.3 欧姆 @ 800mA,0V2.6 欧姆 @ 500mA,10V3 欧姆 @ 800mA,10V3.4 欧姆 @ 800mA,10V4.3 欧姆 @ 800mA,10V4.7 欧姆 @ 800mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA950mV @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.7V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 160µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA5.5V @ 25µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 10 V3.4 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V11.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
82 pF @ 10 V140 pF @ 25 V152 pF @ 50 V155 pF @ 75 V210 pF @ 30 V215 pF @ 25 V230 pF @ 25 V280 pF @ 25 V285 pF @ 25 V305 pF @ 4 V350 pF @ 25 V355 pF @ 25 V355 pF @ 100 V520 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)1W(Ta),1.7W(Tc)1.47W(Ta),2.27W(Tc)1.5W(Tc)2W(Tc)2.5W(Ta),19W(Tc)2.5W(Ta),2.78W(Tc)2.5W(Ta),30W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.3W(Tc)15.6W(Tc)19.2W(Tc)20W(Tc)27.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKIPAKISOPLUS i4-PAC™PowerPAK® SC-70-6SC-70-6SC-70FL/MCPH3SOT-23SOT-23-3(TO-236)TO-220-3TO-220F-3TO-252(DPAK)TO-252AATO-263AA
封装/外壳
3-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-363ISOPLUSi5-PAK™PowerPAK® SC-70-6TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
39结果
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/ 39
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,202
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
345 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,639
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
345 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-6
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
8,853
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
290 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±20V
355 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-23-3
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
219,001
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 1.5A,10V
3.5V @ 250µA
3.4 nC @ 10 V
±20V
152 pF @ 50 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2398ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
7,835
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 1.5A,10V
3.5V @ 250µA
3.4 nC @ 10 V
±20V
152 pF @ 50 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-6
SI1499DH-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
11,803
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
1.6A(Tc)
1.2V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
800mV @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±5V
650 pF @ 4 V
-
2.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
PowerPak SC-70-6 Single
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
Vishay Siliconix
7,953
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28894
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
1.6A(Tc)
6V,10V
2.6 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 75 V
-
15.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SC-70-6
SI1499DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
1,350
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.74458
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
1.6A(Tc)
1.2V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
800mV @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±5V
650 pF @ 4 V
-
2.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-220-3
IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Littelfuse Inc.
256
现货
450
工厂
1 : ¥29.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
1.6A(Tc)
10V
10 欧姆 @ 800mA,0V
-
27 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220F
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
onsemi
993
现货
1 : ¥13.63000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.6A(Tc)
10V
4.3 欧姆 @ 800mA,10V
4.5V @ 160µA
8.8 nC @ 10 V
±20V
355 pF @ 100 V
-
19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
ISL9N302AS3
SFU9210TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
4,740
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.6A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
285 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-PAK
FQU2N50BTU-WS
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
10V
5.3 欧姆 @ 800mA,10V
3.7V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IRG4RC10UTRPBF
FQD2N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Fairchild Semiconductor
1,015
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
10V
5.3 欧姆 @ 800mA,10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
ISL9N302AS3
FQU2N50BTU
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Fairchild Semiconductor
45,243
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
10V
5.3 欧姆 @ 800mA,10V
3.7V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
2302
G02P06
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Goford Semiconductor
6,124
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74211
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
190毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
566 pF @ 30 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF3N40
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F
Fairchild Semiconductor
1,544
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.6A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 800mA,10V
5V @ 250µA
7.5 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220F
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Fairchild Semiconductor
931
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.6A(Tc)
10V
4.3 欧姆 @ 800mA,10V
4.5V @ 160µA
8.8 nC @ 10 V
±20V
355 pF @ 100 V
-
19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-263AB
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Littelfuse Inc.
97
现货
1 : ¥30.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
10V
2.3 欧姆 @ 800mA,0V
-
23.7 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
ISL9N302AS3
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
Fairchild Semiconductor
1,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.6A(Tc)
10V
4.3 欧姆 @ 800mA,10V
4.5V @ 160µA
8.8 nC @ 10 V
±20V
355 pF @ 100 V
-
27.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252-3
IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥29.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
-
2.3 欧姆 @ 800mA,0V
-
23.7 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3
IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥29.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
1.6A(Tc)
-
10 欧姆 @ 800mA,0V
-
27 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Littelfuse Inc.
21
现货
1 : ¥29.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
-
2.3 欧姆 @ 800mA,0V
-
23.7 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Littelfuse Inc.
1
现货
1 : ¥30.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
1.6A(Tc)
10V
10 欧姆 @ 800mA,0V
-
27 nC @ 5 V
±20V
645 pF @ 25 V
耗尽模式
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SC-70-6
SI1405BDH-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥1.65113
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
1.6A(Tc)
1.8V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
305 pF @ 4 V
-
1.47W(Ta),2.27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-252AA
FQD2N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
onsemi
0
现货
2,500 : ¥3.11257
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.6A(Tc)
10V
5.3 欧姆 @ 800mA,10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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1.6A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。