单双极晶体管

结果 : 9
制造商
Central Semiconductor CorpDiotec SemiconductorMicro Commercial CoonsemiSTMicroelectronics
包装
剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装管件
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 mA800 mA1 A3 A6 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V100 V160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 5mA，50mA700mV @ 125mA，1A1V @ 50mA，500mA1.2V @ 375mA，3A1.5V @ 50mA，500mA1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA（ICBO）50nA1µA（ICBO）300µA700µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
10 @ 3A，4V15 @ 1A，4V15 @ 3A，4V100 @ 10mA，1V100 @ 150mA，10V160 @ 200mA，5V
功率 - 最大值
500 mW625 mW900 mW2 W65 W
频率 - 跃迁
3MHz100MHz300MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-65°C ~ 200°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
TO-206AA，TO-18-3 金属罐TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3 长体，成型引线TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装
TO-18TO-220TO-220ABTO-92TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N3904BU
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
onsemi
95,980
现货
1 : ¥2.87000
散装
-
散装
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
7,103
现货
1 : ¥19.38000
散装
-
散装
在售
NPN
800 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
500 mW
300MHz
-65°C ~ 200°C（TJ）
通孔
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
TO-18
TO-220-3
TIP32CG
TRANS PNP 100V 3A TO220
onsemi
1,701
现货
1 : ¥5.01000
管件
-
管件
在售
PNP
3 A
100 V
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
2 W
3MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP32C
TRANS PNP 100V 3A TO220
STMicroelectronics
1,913
现货
1 : ¥5.75000
管件
-
管件
在售
PNP
3 A
100 V
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
2 W
-
150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP31C-BP
TRANS NPN 100V 3A TO220AB
Micro Commercial Co
1,838
现货
1 : ¥7.47000
管件
-
管件
在售
NPN
3 A
100 V
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
2 W
3MHz
150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220AB
TO-220-3
TIP30CG
TRANS PNP 100V 1A TO220
onsemi
592
现货
1 : ¥5.01000
管件
-
管件
在售
PNP
1 A
100 V
700mV @ 125mA，1A
300µA
15 @ 1A，4V
2 W
3MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP41C
TRANS NPN 100V 6A TO220
STMicroelectronics
102
现货
1 : ¥6.40000
管件
-
管件
在售
NPN
6 A
100 V
1.5V @ 600mA，6A
700µA
15 @ 3A，4V
65 W
-
150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220
BC327-16
2N3904
BJT TO-92 40V 200MA
Diotec Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.18339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA，50mA
50nA
100 @ 10mA，1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
KSC2383YTA
TRANS NPN 160V 1A TO92-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.04983
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
NPN
1 A
160 V
1.5V @ 50mA，500mA
1µA（ICBO）
160 @ 200mA，5V
900 mW
100MHz
150°C（TJ）
通孔
TO-226-3，TO-92-3 长体，成型引线
TO-92-3
显示
/ 9

单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。