单双极晶体管

结果 : 11
制造商
Central Semiconductor CorponsemiSTMicroelectronics
包装
散装管件
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿PNPPNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150 mA1.5 A3 A5 A6 A10 A15 A25 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V60 V80 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 10mA,100mA500mV @ 50mA,500mA1.2V @ 375mA,3A1.5V @ 600mA,6A3V @ 3.3A,10A3V @ 40mA,10A4V @ 20mA,5A4V @ 5A,25A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)300µA500µA700µA1mA2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
10 @ 15A,4V10 @ 3A,4V15 @ 3A,4V20 @ 4A,4V40 @ 150mA,2V70 @ 2mA,6V1000 @ 3A,3V1000 @ 5A,4V
功率 - 最大值
400 mW1.25 W2 W12.5 W65 W90 W125 W
频率 - 跃迁
3MHz80MHz-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
-通孔
封装/外壳
-TO-220-3TO-225AA,TO-126-3TO-247-3
供应商器件封装
-SOT-32-3TO-126TO-220TO-247TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
ST13003-K
BD139
TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
STMicroelectronics
2,471
现货
1 : ¥3.37000
管件
-
管件
在售
NPN
1.5 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
1.25 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
SOT-32-3
ST13003-K
BD140
TRANS PNP 80V 1.5A SOT32-3
STMicroelectronics
2,426
现货
1 : ¥3.69000
管件
-
管件
在售
PNP
1.5 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
1.25 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
SOT-32-3
TO-126
BD139G
TRANS NPN 80V 1.5A TO126
onsemi
13,613
现货
1 : ¥4.19000
散装
-
散装
在售
NPN
1.5 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
12.5 W
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
TO-220-3
TIP32C
TRANS PNP 100V 3A TO220
STMicroelectronics
1,913
现货
1 : ¥5.75000
管件
-
管件
在售
PNP
3 A
100 V
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP122
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
STMicroelectronics
1,563
现货
1 : ¥6.32000
管件
-
管件
在售
NPN - 达林顿
5 A
100 V
4V @ 20mA,5A
500µA
1000 @ 3A,3V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
3,864
现货
1 : ¥7.64000
散装
-
散装
在售
NPN
150 mA
50 V
250mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
70 @ 2mA,6V
400 mW
80MHz
-
-
-
-
TO-247-3 HiP
TIP3055
TRANS NPN 60V 15A TO247-3
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥7.88000
管件
-
管件
在售
NPN
15 A
60 V
3V @ 3.3A,10A
700µA
20 @ 4A,4V
90 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
TIP147
TRANS PNP DARL 100V 10A TO247
STMicroelectronics
660
现货
1 : ¥12.89000
管件
-
管件
在售
PNP - 达林顿
10 A
100 V
3V @ 40mA,10A
2mA
1000 @ 5A,4V
125 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247
TO247-3
TIP36C
TRANS PNP 100V 25A TO247-3
STMicroelectronics
1,958
现货
1 : ¥16.50000
管件
-
管件
在售
PNP
25 A
100 V
4V @ 5A,25A
1mA
10 @ 15A,4V
125 W
3MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
TIP36CW
TRANS PNP 100V 25A TO247-3
STMicroelectronics
824
现货
1 : ¥22.08000
管件
-
管件
在售
PNP
25 A
100 V
4V @ 5A,25A
1mA
10 @ 15A,4V
125 W
3MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
TIP41C
TRANS NPN 100V 6A TO220
STMicroelectronics
102
现货
1 : ¥6.40000
管件
-
管件
在售
NPN
6 A
100 V
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
65 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。