单双极晶体管

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA600 mA5.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V45 V60 V150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
175mV @ 550mA，5.5A500mV @ 5mA，50mA650mV @ 5mA，100mA1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA（ICBO）15nA（ICBO）50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
60 @ 10mA，5V100 @ 150mA，10V200 @ 100mA，2V220 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
150 mW310 mW1 W1.5 W
频率 - 跃迁
100MHz130MHz300MHz
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23FSOT-523SOT-89-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-3
MMBT2222A-7-F
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
1,485,093
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.17514
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
310 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-523
BC857BT-7-F
TRANS PNP 45V 0.1A SOT523
Diodes Incorporated
12,138
现货
1,260,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30787
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
100 mA
45 V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
150 mW
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT23F Flat Leads
ZXTN19060CFFTA
TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F
Diodes Incorporated
4,081
现货
678,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
5.5 A
60 V
175mV @ 550mA，5.5A
50nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
1.5 W
130MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23F
AP7387Q-30Y-13
DXT5401-13
TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Diodes Incorporated
2,358
现货
100,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.14724
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
600 mA
150 V
500mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
60 @ 10mA，5V
1 W
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89-3
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。