存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMacronix
系列
F-RAM™MXSMIO™
存储器格式
FRAM闪存
技术
FLASH - NORFRAM(铁电体 RAM)
存储容量
1Mb256Mb
存储器组织
64K x 1632M x 8
存储器接口
SPI并联
写周期时间 - 字,页
90ns30µs,750µs
电压 - 供电
2V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
8-WSON(6x5)44-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-WSON
MX25L25645GZNI-08G
IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON
Macronix
13,549
现货
1 : ¥32.51000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI
120 MHz
30µs,750µs
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON(6x5)
44-TSOP II
FM28V102A-TG
IC FRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
47
现货
1 : ¥154.09000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
FRAM
FRAM(铁电体 RAM)
1Mb
64K x 16
并联
-
90ns
90 ns
2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
显示
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。