存储器

结果 : 3
制造商
MacronixMicron Technology Inc.
包装
托盘管件
产品状态
不适用于新设计在售
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量
512Kb256Mb64Gb
存储器组织
64K x 832M x 82G x 32
存储器接口
SPISPI - 四 I/O并联
时钟频率
104 MHz133 MHz2.133 GHz
写周期时间 - 字,页
18ns50µs,3ms8ms,2.8ms
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 125°C(TC)-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-WDFN 裸露焊盘200-TFBGA
供应商器件封装
8-SOP8-WPDFN(8x6)(MLP8)200-TFBGA(10x14.5)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,270
现货
1 : ¥46.71000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms,2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WPDFN(8x6)(MLP8)
8-SOIC
MX25L512EMI-10G
IC FLASH 512KBIT SPI 104MHZ 8SOP
Macronix
0
现货
29,792 : ¥2.77332
管件
-
管件
不适用于新设计
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Kb
64K x 8
SPI
104 MHz
50µs,3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
0
现货
查看交期
1,360 : ¥583.71372
-
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
64Gb
2G x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 125°C(TC)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA(10x14.5)
显示
/ 3

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。