存储器

结果 : 4
系列
-FL-S
包装
卷带（TR）托盘管件
存储器格式
NVSRAM闪存
技术
FLASH - NORNVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
4Mb256Mb
存储器组织
256K x 1632M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
写周期时间 - 字，页
45ns-
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.63V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）-40°C ~ 125°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
8-WSON（6x8）16-SOIC44-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-WSON
S25FL256SAGNFV001
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
Infineon Technologies
1,301
现货
1 : ¥33.41000
管件
管件
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C（TA）
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（6x8）
16-SOIC
S25FL256SAGMFM000
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Infineon Technologies
172
现货
1 : ¥80.87000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 125°C（TA）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOIC
44-TSOP Pkg
CY14B104NA-ZS45XI
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Infineon Technologies
793
现货
1 : ¥330.61000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM）
4Mb
256K x 16
并联
-
45ns
45 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
44-TSOP II
CY14B104NA-ZS45XET
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1,000 : ¥311.60724
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM）
4Mb
256K x 16
并联
-
45ns
45 ns
3V ~ 3.63V
-40°C ~ 125°C（TA）
-
-
表面贴装型
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
44-TSOP II
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。