存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMacronix
系列
-FL-SMXSMIO™
包装
卷带（TR）托盘
存储器格式
NVSRAM闪存
技术
FLASH - NORNVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
8Mb64Mbit128Mb
存储器组织
512K x 168M x 816M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
80 MHz133 MHz
写周期时间 - 字，页
45ns100µs，10ms-
电压 - 供电
1.65V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘24-TBGA54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
8-WSON（6x5）24-BGA（6x8）54-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-WSON
MX25R6435FZNIL0
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
Macronix
10,622
现货
1 : ¥16.09000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
64Mbit
8M x 8
SPI - 四 I/O
80 MHz
100µs，10ms
-
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（6x5）
24TBGA 4x6 footprint
S25FL128SAGBHVB00
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
Infineon Technologies
847
现货
1 : ¥37.52000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C（TA）
表面贴装型
24-TBGA
24-BGA（6x8）
54-TSOP
CY14B108M-ZSP45XIT
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1,000 : ¥319.53479
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM）
8Mb
512K x 16
并联
-
45ns
45 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
54-TSOP II
显示
/ 3

存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。