存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.Renesas Electronics Corporation
包装
卷带（TR）托盘
产品状态
停产在售
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器格式
NVSRAMRAM闪存
技术
FLASH - NORMRAM（磁阻式 RAM）NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
8Mb16Mb512Mb
存储器组织
512K x 164M x 464M x 8，32M x 16
存储器接口
SPI并联
写周期时间 - 字，页
25ns60ns-
访问时间
25 ns95 ns
电压 - 供电
1.71V ~ 2V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）64-LBGA
供应商器件封装
8-SOIC54-TSOP II64-LBGA（11x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
64-LFBGA
MT28EW512ABA1LPC-0SIT
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64LBGA
Micron Technology Inc.
969
现货
1 : ¥98.60000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb
64M x 8，32M x 16
并联
-
60ns
95 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
64-LBGA
64-LBGA（11x13）
54-TSOP
CY14B108N-ZSP25XI
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II
Infineon Technologies
161
现货
1 : ¥519.93000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM）
8Mb
512K x 16
并联
-
25ns
25 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
54-TSOP II
0
现货
2,000 : ¥284.23062
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
未验证
非易失
RAM
MRAM（磁阻式 RAM）
16Mb
4M x 4
SPI
108 MHz
-
-
1.71V ~ 2V
-40°C ~ 105°C
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。