存储器

结果 : 3
制造商
Delkin Devices, Inc.MacronixMicron Technology Inc.
系列
-MX25xxx35/36 - MXSMIO™
产品状态
不适用于新设计在售
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR3L闪存 - NAND
存储容量
256Mb2Gb256Gb
存储器组织
32M x 8128M x 1632G x 8
存储器接口
eMMCSPI并联
时钟频率
104 MHz200 MHz800 MHz
写周期时间 - 字，页
30µs，3ms-
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V3.3V
工作温度
-40°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C（TA）-40°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘96-TFBGA153-VFBGA
供应商器件封装
8-WSON（8x6）96-FBGA（8x14）153-FBGA（11.5x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
917
现货
1 : ¥46.55000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
2Gb
128M x 16
并联
800 MHz
-
13.75 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（8x14）
8-WSON
MX25L25635FZ2I-10G
IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON
Macronix
3,579
现货
1 : ¥52.38000
托盘
托盘
不适用于新设计
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI
104 MHz
30µs，3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON（8x6）
EM02APYD4-BA000-2
EM32VSUKN-BA000-2
IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA
Delkin Devices, Inc.
795
现货
1 : ¥151.64000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
256Gb
32G x 8
eMMC
200 MHz
-
-
3.3V
-40°C ~ 85°C
-
-
表面贴装型
153-VFBGA
153-FBGA（11.5x13）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。