存储器

结果 : 2
系列
GL-TMoBL®
存储器类型
易失非易失
存储器格式
SRAM闪存
技术
FLASH - NORSRAM - 异步
存储容量
8Mb1Gb
存储器组织
512K x 16128M x 8
写周期时间 - 字,页
55ns60ns
访问时间
55 ns110 ns
电压 - 供电
1.65V ~ 2.25V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
48-VFBGA64-LBGA
供应商器件封装
48-VFBGA(6x8)64-FBGA(9x9)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
48-VFBGA Pkg
CY62157EV18LL-55BVXI
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Infineon Technologies
1,936
现货
1 : ¥81.19000
托盘
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
8Mb
512K x 16
并联
55ns
55 ns
1.65V ~ 2.25V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
48-VFBGA
48-VFBGA(6x8)
64-LBGA
S29GL01GT11DHB020
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Infineon Technologies
210
现货
1 : ¥122.00000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
128M x 8
并联
60ns
110 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C(TA)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
64-LBGA
64-FBGA(9x9)
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。