存储器

结果 : 4
系列
HyperRAM™ KLHyperRAM™ KS
包装
卷带（TR）托盘
存储容量
64Mbit128Mb
存储器组织
8M x 816M x 8
电压 - 供电
1.7V ~ 2V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）-40°C ~ 125°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
24 FBGA
S27KL0642GABHI030
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
338 : ¥26.35959
托盘
托盘
在售
未验证
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
64Mbit
8M x 8
HyperBus
200 MHz
35ns
35 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
24-VBGA
24-FBGA（6x8）
24-VBGA
S27KS0642GABHV023
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
2,500 : ¥24.77180
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
未验证
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
64Mbit
8M x 8
HyperBus
200 MHz
35ns
35 ns
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 105°C（TA）
表面贴装型
24-VBGA
24-FBGA（6x8）
24-FBGA
S27KS0642GABHM020
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
3,380 : ¥30.49520
托盘
托盘
在售
未验证
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
64Mbit
8M x 8
HyperBus
200 MHz
35ns
35 ns
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装型
24-VBGA
24-FBGA（6x8）
24-FBGA
S70KS1282GABHM023
IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
2,500 : ¥42.37926
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
未验证
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
128Mb
16M x 8
HyperBus
200 MHz
35ns
35 ns
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装型
24-VBGA
24-FBGA（6x8）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。