存储器

结果 : 2
制造商
Alliance Memory, Inc.Micron Technology Inc.
包装
托盘散装
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量
256Mb16Gb
存储器组织
32M x 8512M x 32
存储器接口
LVSTLE_06SPI - 四 I/O
时钟频率
133 MHz1.866 GHz
写周期时间 - 字,页
18ns8ms,2.8ms
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V1.7V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-40°C ~ 85°C(TC)
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘200-VFBGA
供应商器件封装
8-WPDFN(6x5)(MLP8)200-FBGA(10x15)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
5,231
现货
1 : ¥46.71000
散装
-
散装
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms,2.8ms
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WPDFN(6x5)(MLP8)
200-VFBGA
AS4C512M32MD4V-053BIN
IC DRAM 16GBIT LVSTLE 200FBGA
Alliance Memory, Inc.
96
现货
1 : ¥113.30000
托盘
-
托盘
在售
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
16Gb
512M x 32
LVSTLE_06
1.866 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
-40°C ~ 85°C(TC)
表面贴装型
200-VFBGA
200-FBGA(10x15)
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。