存储器

结果 : 4
系列
-e•MMC™
包装
托盘盒
产品状态
停产在售
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4SDRAM - 移动 LPDDR4X闪存 - NAND
存储容量
16Gb256Gb
存储器组织
512M x 3232G x 8
存储器接口
-MMC并联
时钟频率
200 MHz1.866 GHz2.133 GHz
写周期时间 - 字，页
18ns-
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V1.1V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 95°C（TC）-25°C ~ 85°C（TC）
封装/外壳
153-VFBGA200-TFBGA200-WFBGA
供应商器件封装
153-VFBGA（11.5x13）200-TFBGA（10x14.5）200-WFBGA（10x14.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
153-VFBGA
MTFC32GAZAQHD-WT
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
Micron Technology Inc.
1,287
现货
1 : ¥149.41000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
256Gb
32G x 8
MMC
200 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-25°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
153-VFBGA
153-VFBGA（11.5x13）
200 TFBGA ZW
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Micron Technology Inc.
781
现货
1 : ¥150.07000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gb
512M x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-25°C ~ 85°C（TC）
-
-
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA（10x14.5）
200-WFBGA
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Micron Technology Inc.
458
现货
1 : ¥182.74000
托盘
-
托盘
停产
未验证
易失
DRAM
SDRAM - Mobile LPDDR4
16Gb
512M x 32
-
1.866 GHz
-
-
1.1V
-40°C ~ 95°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-WFBGA
200-WFBGA（10x14.5）
0
现货
查看交期
1 : ¥166.08000
盒
-
盒
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
16Gb
512M x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 95°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA（10x14.5）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。