存储器

结果 : 2
制造商
MacronixRenesas Electronics Corporation
系列
-MX29GL
存储器类型
易失非易失
存储器格式
SRAM闪存
技术
FLASH - NORSRAM - 异步
存储容量
4Mb256Mb
存储器组织
256K x 1632M x 8
写周期时间 - 字,页
10ns90ns
访问时间
10 ns90 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
封装/外壳
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装
44-TSOP II56-TSOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
44-TSOP II
71V416S10PHGI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Renesas Electronics Corporation
199
现货
1 : ¥78.16000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb
256K x 16
并联
10ns
10 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
56-TSOP
MX29GL256FLT2I-90Q
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Macronix
8,974
现货
1 : ¥44.99000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
并联
90ns
90 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
56-TSOP
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。