存储器

结果 : 2
制造商
Flexxon Pte LtdMicron Technology Inc.
系列
-ECON II
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NAND(MLC)SDRAM - DDR3L
存储容量
4Gb128Gb
存储器组织
256M x 1616G x 8
存储器接口
eMMC_5.1并联
时钟频率
200 MHz933 MHz
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-25°C ~ 85°C0°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
96-TFBGA153-VFBGA
供应商器件封装
96-FBGA(8x14)153-FBGA(11.5x13)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
18,469
现货
1 : ¥56.07000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
256M x 16
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
0°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA(8x14)
IC FLSH 128GBIT EMMC 5.1 153FBGA
FEMC016G-M12
IC FLSH 128GBIT EMMC 5.1 153FBGA
Flexxon Pte Ltd
105
现货
1 : ¥140.63000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND(MLC)
128Gb
16G x 8
eMMC_5.1
200 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-25°C ~ 85°C
表面贴装型
153-VFBGA
153-FBGA(11.5x13)
显示
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。