单 IGBT

结果 : 2
包装
散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
NPTNPT，沟槽型场截止
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
75 A94 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，35A3.2V @ 15V，25A
功率 - 最大值
379 W521 W
开关能量
742µJ（开），427µJ（关）-，2.315mJ（关）
栅极电荷
203 nC220 nC
25°C 时 Td（开/关）值
16ns/122ns24ns/300ns
测试条件
600V，25A，4.3 欧姆，15V800V，35A，2.2 欧姆，15V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
D3PAK
APT25GR120S
IGBT NPT 1200V 75A D3PAK
Microchip Technology
268
现货
1 : ¥54.10000
散装
-
散装
停产
NPT
1200 V
75 A
100 A
3.2V @ 15V，25A
521 W
742µJ（开），427µJ（关）
标准
203 nC
16ns/122ns
600V，25A，4.3 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
D3PAK
D3PAK
APT35GN120SG
IGBT NPT FS 1200V 94A D3PAK
Microchip Technology
29
现货
1 : ¥78.57000
管件
-
管件
在售
NPT，沟槽型场截止
1200 V
94 A
105 A
2.1V @ 15V，35A
379 W
-，2.315mJ（关）
标准
220 nC
24ns/300ns
800V，35A，2.2 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
D3PAK
显示
/ 2

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。