单 IGBT

结果 : 5
系列
BIMOSFET™XPT™XPT™, GenX4™
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V3000 V3600 V4500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
38 A95 A104 A125 A450 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A350 A400 A420 A1200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，160A2.7V @ 15V，14A2.9V @ 15V，50A3V @ 15V，42A3.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值
200 W500 W660 W1200 W
开关能量
4.4mJ（开），3.5mJ（关）-
栅极电荷
62 nC170 nC200 nC210 nC553 nC
25°C 时 Td（开/关）值
36ns/110ns46ns/205ns62ns/245ns72ns/445ns-
测试条件
400V，100A，1 欧姆，15V960V，14A，20 欧姆，15V960V，40A，2 欧姆，15V960V，50A，5 欧姆，15V1500V，42A，20 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
76 ns1.4 µs1.7 µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
24-PowerSMD，21 引线TO-247-3 变式TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
供应商器件封装
24-SMPDTO-247PLUS-HVTO-268HV（IXBT）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO 247 HV PLUS EP
IXYX40N450HV
IGBT 4500V 95A TO247PLUS-HV
IXYS
500
现货
1 : ¥542.26000
管件
管件
在售
-
4500 V
95 A
350 A
3.9V @ 15V，40A
660 W
-
标准
170 nC
36ns/110ns
960V，40A，2 欧姆，15V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3 变式
TO-247PLUS-HV
IGBT 3000V 38A TO268HV
IXBT14N300HV
IGBT 3000V 38A TO268HV
IXYS
170
现货
30 : ¥322.38800
管件
管件
在售
-
3000 V
38 A
120 A
2.7V @ 15V，14A
200 W
-
标准
62 nC
-
960V，14A，20 欧姆，15V
1.4 µs
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-268HV（IXBT）
TO-268
IXBT42N300HV
IGBT 3000V 104A TO268HV
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥440.37000
管件
管件
在售
-
3000 V
104 A
400 A
3V @ 15V，42A
500 W
-
标准
200 nC
72ns/445ns
1500V，42A，20 欧姆，15V
1.7 µs
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-268HV（IXBT）
TO 247 HV PLUS EP
IXBX50N360HV
IGBT 3600V 125A TO247PLUS-HV
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥563.03000
管件
管件
在售
-
3600 V
125 A
420 A
2.9V @ 15V，50A
660 W
-
标准
210 nC
46ns/205ns
960V，50A，5 欧姆，15V
1.7 µs
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3 变式
TO-247PLUS-HV
IGBT 650V 450A 24-SMPD
MMIX1X340N65B4
IGBT 650V 450A 24-SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥312.46790
管件
管件
在售
-
650 V
450 A
1200 A
1.7V @ 15V，160A
1200 W
4.4mJ（开），3.5mJ（关）
标准
553 nC
62ns/245ns
400V，100A，1 欧姆，15V
76 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
24-PowerSMD，21 引线
24-SMPD
显示
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单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。