单 FET，MOSFET

结果 : 19
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta），110A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 30A，10V2.3 毫欧 @ 30A，10V2.6 毫欧 @ 30A，10V2.8 毫欧 @ 30A，10V3.1 毫欧 @ 30A，10V3.4 毫欧 @ 30A，10V3.5 毫欧 @ 30A，10V3.9 毫欧 @ 30A，10V4.2 毫欧 @ 20A，10V4.2 毫欧 @ 30A，10V5 毫欧 @ 20A，10V5.3 毫欧 @ 30A，10V6 毫欧 @ 30A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 4.5 V95 nC @ 10 V100 nC @ 10 V105 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V200 nC @ 10 V240 nC @ 10 V250 nC @ 10 V270 nC @ 10 V280 nC @ 10 V300 nC @ 10 V345 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 25 V4250 pF @ 30 V5100 pF @ 25 V6500 pF @ 25 V6700 pF @ 25 V6800 pF @ 25 V8250 pF @ 25 V9200 pF @ 25 V10850 pF @ 40 V11200 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V11400 pF @ 25 V11500 pF @ 40 V12100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），312W（Tc）3.75W（Ta），120W（Tc）3.75W（Ta），150W（Tc）3.75W（Ta），208.3W（Tc）3.75W（Ta），250W（Tc）3.75W（Ta），272W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）15W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果
显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
60,259
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Vishay Siliconix
3,638
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
800 : ¥18.62959
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
110A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
6700 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
3,076
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
800 : ¥21.22728
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），272W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,008
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,488
现货
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
800 : ¥22.68666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
11300 pF @ 25 V
-
15W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
15,969
现货
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
800 : ¥17.54846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
800 : ¥22.68666
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
10V
11.1 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
110A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N06-3M4L-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥27.58000
剪切带（CT）
800 : ¥16.67668
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥31.61000
剪切带（CT）
800 : ¥19.06470
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
5.3 毫欧 @ 30A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
6700 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N08-07P-E3
MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
110A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4250 pF @ 30 V
-
3.75W（Ta），208.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N05-06L-E3
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
-
6 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
-
3300 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-03-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
800 : ¥31.97360
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
8250 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-2M1P-E3
MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
29A（Ta），110A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
360 nC @ 10 V
±20V
18800 pF @ 20 V
-
3.13W（Ta），312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
10V
3.9 毫欧 @ 30A，10V
4.5V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
15800 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-03P-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-04-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
110A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
360 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110N03-03P-E3
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
110A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
12100 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 19

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。