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单 FET，MOSFET
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系列
包装
产品状态
漏源电压（Vdss）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1,483 现货 | 1 : ¥19.95000 剪切带（CT） 1,000 : ¥9.45408 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 6.7 毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 150µA | 104 nC @ 10 V | +5V，-16V | 6580 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 7,098 现货 | 1 : ¥22.17000 剪切带（CT） 1,000 : ¥11.45079 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | - | 4.4毫欧 @ 80A，10V | 2V @ 253µA | 160 nC @ 10 V | +5V，-16V | 11300 pF @ 25 V | - | 137W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 7,675 现货 | 1 : ¥24.05000 剪切带（CT） 1,000 : ¥11.22691 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 4.7 毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 250µA | 176 nC @ 10 V | +5V，-16V | 11570 pF @ 25 V | - | 125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 1,112 现货 | 1 : ¥15.11000 剪切带（CT） 1,000 : ¥7.17184 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 6.9 毫欧 @ 80A，10V | 2V @ 130µA | 80 nC @ 10 V | +5V，-16V | 5700 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 1,986 现货 | 1 : ¥19.05000 剪切带（CT） 1,000 : ¥9.03382 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 8.2 毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | +5V，-16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 1,879 现货 | 1 : ¥19.95000 剪切带（CT） 1,000 : ¥8.35758 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 10V | 7.4 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 150µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 6085 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 1,855 现货 | 1 : ¥24.05000 剪切带（CT） 1,000 : ¥12.42776 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | - | 5.2 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 250µA | 151 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥7.98904 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 7.9 毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥9.74660 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 6.9 毫欧 @ 80A，10V | 2V @ 130µA | 80 nC @ 10 V | +5V，-16V | 5700 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥10.47686 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 10V | 7.4 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 150µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 6085 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥10.47686 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 6.4 毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 150µA | 104 nC @ 10 V | ±16V | 6580 pF @ 25 V | - | 88W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥11.45079 卷带（TR） | 卷带（TR） | 不适用于新设计 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 4.1 毫欧 @ 80A，10V | 2V @ 253µA | 160 nC @ 10 V | +5V，-16V | 11300 pF @ 25 V | - | 137W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥12.85031 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 10V | 4.9 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 250µA | 151 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 1,000 : ¥12.85031 卷带（TR） | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 40 V | 80A（Tc） | 4.5V，10V | 4.4毫欧 @ 80A，10V | 2.2V @ 250µA | 176 nC @ 10 V | ±16V | 3800 pF @ 25 V | - | 125W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | Digi-Key 停止提供 | 卷带（TR） | Digi-Key 停止提供 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | 10V | 4.7 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 253µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 137W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB | ||
| 0 现货 | 停产 | 卷带（TR） | 停产 | P 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 30 V | 80A（Tc） | 10V | 4.7 毫欧 @ 80A，10V | 4V @ 253µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 25 V | - | 137W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB |
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