单 FET,MOSFET

结果 : 16
系列
OptiMOS®-P2OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V2.5 毫欧 @ 100A,10V2.8 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 100A,10V3.1 毫欧 @ 100A,10V3.2 毫欧 @ 100A,10V3.4 毫欧 @ 100A,10V3.5 毫欧 @ 100A,10V3.6 毫欧 @ 100A,10V3.8 毫欧 @ 100A,10V4.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 110µA2.2V @ 340µA2.2V @ 40µA3.5V @ 120µA3.5V @ 180µA4V @ 110µA4V @ 120µA4V @ 140µA4V @ 200µA4V @ 223µA4V @ 340µA4V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V72 nC @ 10 V91 nC @ 10 V95 nC @ 10 V134 nC @ 10 V140 nC @ 10 V160 nC @ 10 V167 nC @ 10 V176 nC @ 10 V190 nC @ 10 V195 nC @ 10 V205 nC @ 10 V234 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±16V+20V,-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4100 pF @ 25 V5300 pF @ 25 V6450 pF @ 25 V6540 pF @ 25 V10120 pF @ 25 V10740 pF @ 25 V11550 pF @ 25 V13150 pF @ 25 V14000 pF @ 25 V14560 pF @ 25 V14790 pF @ 25 V15000 pF @ 25 V15750 pF @ 25 V21900 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
79W(Tc)136W(Tc)158W(Tc)167W(Tc)179W(Tc)188W(Tc)190W(Tc)250W(Tc)278W(Tc)
供应商器件封装
PG-TO263-3PG-TO263-3-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
13,437
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
9,125
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V,-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N10S405ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
13,446
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.60212
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 120µA
91 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
1,813
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.55233
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 140µA
176 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 25 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,734
现货
1 : ¥24.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.88217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 110µA
134 nC @ 10 V
±20V
10740 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Infineon Technologies
2,719
现货
1 : ¥25.45000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.17411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 140µA
195 nC @ 10 V
±20V
15750 pF @ 25 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
919
现货
1 : ¥24.96000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.63740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 110µA
190 nC @ 10 V
+20V,-16V
14560 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
848
现货
1 : ¥42.12000
剪切带(CT)
1,000 : ¥21.78258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 180µA
140 nC @ 10 V
±20V
10120 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
15,000
市场
1,000 : ¥8.42556
卷带(TR)
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 40µA
72 nC @ 10 V
±16V
5300 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
994
现货
1 : ¥31.12000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.09130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 120µA
95 nC @ 10 V
±20V
6450 pF @ 25 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥22.33000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.53486
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 120µA
160 nC @ 10 V
±20V
13150 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N06S4H1ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥32.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.69907
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 200µA
270 nC @ 10 V
±20V
21900 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
±16V
15000 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥48.85000
剪切带(CT)
7,000 : ¥22.82018
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
120A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 223µA
167 nC @ 10 V
±20V
11550 pF @ 25 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 40µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。