单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.2A（Ta），149A（Tc）16A（Ta），156A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.2V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，10V2.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
85 nC @ 11.5 V86 nC @ 11.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4830 pF @ 12 V5250 pF @ 12 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TDFN Top
NTMFS4854NST3G
MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
onsemi
0
现货
14,828
市场
321 : ¥6.84611
散装
卷带（TR）
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
15.2A（Ta），149A（Tc）
3.2V，10V
2.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 11.5 V
±16V
4830 pF @ 12 V
-
900mW（Ta），86.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SO-8FL
8-PowerTDFN
8-TDFN Top
NTMFS4833NST1G
MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta），156A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
86 nC @ 11.5 V
±20V
5250 pF @ 12 V
-
900mW（Ta），86.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SO-8FL
8-PowerTDFN
8-TDFN Top
NTMFS4833NST3G
MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta），156A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
86 nC @ 11.5 V
±20V
5250 pF @ 12 V
-
900mW（Ta），86.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SO-8FL
8-PowerTDFN
8-TDFN Top
NTMFS4854NST1G
MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
15.2A（Ta），149A（Tc）
3.2V，10V
2.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 11.5 V
±16V
4830 pF @ 12 V
-
900mW（Ta），86.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SO-8FL
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。