单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta）14.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V38 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.1 nC @ 4.5 V53 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
216 pF @ 15 V4195 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）3.1W（Ta），29W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7407
MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
109,224
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.62521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14.5A（Ta），40A（Tc）
1.8V，4.5V
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
900mV @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±8V
4195 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，10V
38 毫欧 @ 3.5A，10V
1.4V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±10V
216 pF @ 15 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。