单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diotec SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）500mA（Ta）5.6A（Tc）49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.5 毫欧 @ 25A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V60 pF @ 25 V180 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）830mW（Ta）43W（Tc）94W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,326
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
130,926
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.43797
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
38,864
现货
60,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,112
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。