单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCInfineon Technologies
系列
-eGaN®OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Ta）， 230A（Tc）42A（Ta），433A（Tc）64A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 50A，10V2.2 毫欧 @ 30A，5V2.24 毫欧 @ 50A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 10mA2.5V @ 13mA3.3V @ 147µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 5 V91 nC @ 10 V128 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3931 pF @ 50 V6880 pF @ 50 V8000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）， 254W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TSON-8-3模具
封装/外壳
8-PowerTDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,022
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
17,624
现货
1 : ¥54.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
64A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V，-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
4,284
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 10mA
128 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。