单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIISIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V45 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA(Ta)1A(Ta)8.5A(Ta)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.3 毫欧 @ 19A,10V11 毫欧 @ 9.8A,10V460 毫欧 @ 1A,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 10 V2.3 nC @ 5 V47.5 nC @ 5 V80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
41 pF @ 25 V160 pF @ 10 V4234 pF @ 20 V5680 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)800mW(Ta)1.3W(Ta)5W(Ta),100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT23PowerDI5060-8PowerFlat™(5x6)TUMT3
封装/外壳
3-SMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
120,807
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerFlat™
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STMicroelectronics
88,307
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18912
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
10V
7.3 毫欧 @ 19A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5680 pF @ 50 V
-
5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TUMT3
RSF010P05TL
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Rohm Semiconductor
12,339
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25974
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
1A(Ta)
4V,10V
460 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 1mA
2.3 nC @ 5 V
±20V
160 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
TUMT3
3-SMD,扁平引线
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
18,503
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.5A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。